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首页 全部分类 SH8M11TB1 vs IRF7306TRPBF

SH8M11TB1备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8M11TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2W
    2W
    N and P-Channel
    98m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    85pF @ 10V
    1.9nC @ 5V
    30V
    3.5A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    2W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    30V
    -3.6A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    8
    SILICON
    3.6A
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    -30V
    鸥翼
    -3.6A
    IRF7306PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    11 ns
    SWITCHING
    17ns
    18 ns
    -1V
    20V
    -30V
    14A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
    无铅
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