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首页 全部分类 SH8M11TB1 vs NTMD4184PFR2G

SH8M11TB1备选型号: NTMD4184PFR2G

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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8M11TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2W
    2W
    N and P-Channel
    98m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    85pF @ 10V
    1.9nC @ 5V
    30V
    3.5A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMD4184PFR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    95m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    360pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    30V
    2.3A
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    38 Weeks
    8
    SILICON
    2.3A Ta
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.31W
    7.2 ns
    SWITCHING
    12ns
    ±20V
    2.8 ns
    20V
    4A
    0.095Ohm
    -30V
    无
    无铅
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