ROHM Semiconductor SH8M11TB1
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SH8M11TB1
2078-SH8M11TB1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
--最小包装量--
SH8M11TB1详情
ROHM Semiconductor SH8M11TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
2W
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
98m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
85pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
3.5A
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SH8M11TB1拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
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