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首页 全部分类 SH8M4TB1 vs FDS8858CZ

SH8M4TB1备选型号: FDS8858CZ

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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8M4TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOP
    9A 7A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    2W
    *M4
    2W
    2W
    N and P-Channel
    18mOhm @ 9A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1190pF @ 10V
    15nC @ 5V
    30V
    7A
    30V
    1.19nF
    逻辑电平门
    17mOhm
    18 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8858CZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    8.6A 7.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    900mW
    -
    2W
    -
    N and P-Channel
    17m Ω @ 8.6A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    24nC @ 10V
    -
    8.6A
    -60V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    187mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    17mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    10ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    16 ns
    1.6V
    25V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.6 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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