SH8M4TB1
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ROHM Semiconductor SH8M4TB1

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型号

SH8M4TB1

utmel 编号

2078-SH8M4TB1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

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SH8M4TB1
SH8M4TB1 ROHM Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

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SH8M4TB1详情

ROHM Semiconductor SH8M4TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-SOP

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A 7A

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最大功率耗散

    2W

  • 基本部件号

    *M4

  • 功率耗散

    2W

  • 功率 - 最大

    2W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18mOhm @ 9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1190pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 输入电容

    1.19nF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    17mOhm

  • 最大rds

    18 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor SH8M4TB1.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & SH8M4TB1相似的参数规格。

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SH8M4TB1拓展信息

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