ROHM Semiconductor SH8M4TB1
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SH8M4TB1
2078-SH8M4TB1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
--最小包装量--
SH8M4TB1详情
ROHM Semiconductor SH8M4TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A 7A
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
*M4
功率耗散
2W
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1190pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
7A
漏源击穿电压
30V
输入电容
1.19nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
17mOhm
最大rds
18 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SH8M4TB1拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
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