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首页 全部分类 SH8M4TB1 vs IRL6372PBF

SH8M4TB1备选型号: IRL6372PBF

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8M4TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOP
    9A 7A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    2W
    *M4
    2W
    2W
    N and P-Channel
    18mOhm @ 9A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1190pF @ 10V
    15nC @ 5V
    30V
    7A
    30V
    1.19nF
    逻辑电平门
    17mOhm
    18 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6372PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    2W
    IRL6372PBF
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1020pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    30V
    8.1A
    30V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    17.9MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    5.9 ns
    SWITCHING
    13ns
    15 ns
    1.1V
    12V
    65A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    20 ns
    1.1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无铅
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