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首页 全部分类 SH8M4TB1 vs IRF9362TRPBF

SH8M4TB1备选型号: IRF9362TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8M4TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOP
    9A 7A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    2W
    *M4
    2W
    2W
    N and P-Channel
    18mOhm @ 9A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1190pF @ 10V
    15nC @ 5V
    30V
    7A
    30V
    1.19nF
    逻辑电平门
    17mOhm
    18 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9362TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    2W
    IRF9362PBF
    2W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    21m Ω @ 8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1300pF @ 25V
    39nC @ 10V
    30V
    -8A
    -30V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    21MOhm
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    5.2 ns
    SWITCHING
    5.9ns
    53 ns
    -1.8V
    20V
    8A
    64A
    94 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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