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SKB02N120ATMA1备选型号: IRG4BH20K-STRLP
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 附加功能
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3no最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)62W鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard62W电源控制无卤素N-CHANNEL1.2kV6.2A50 ns1200V40 ns3.6V @ 15V, 2A375 nsNPT11nC9.6A23ns/260ns220μJROHS3 Compliant含铅------- IGBT 1200V 11A 60W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3-最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier60W鸥翼260-30-R-PSSO-G2-SingleCOLLECTORStandard60WMOTOR CONTROL-N-CHANNEL4.3V11A-1200V51 ns4.3V @ 15V, 5A720 ns-28nC22A23ns/93ns450μJ (on), 440μJ (off)ROHS3 Compliant-3低导通损耗20V6.5V400ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | 对比 |
 | STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 6A 68W D2PAK | 对比 |
 | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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