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首页 全部分类 SNSS35200MR6T1G vs NSS35200MR6T1G

SNSS35200MR6T1G备选型号: NSS35200MR6T1G

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  • 晶体管元件材料
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  • 操作温度
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  • 额定电流
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    SNSS35200MR6T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    14 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    YES
    SOT-23-6
    表面贴装
    6
    1
    2013
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    NSS35200
    6
    AEC-Q101
    SINGLE
    SWITCHING
    无卤素
    PNP
    PNP
    310mV
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    100MHz
    100MHz
    55V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSS35200MR6T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    YES
    SOT-23-6
    表面贴装
    6
    35V
    2005
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    NSS35200
    6
    -
    -
    SWITCHING
    无卤素
    PNP
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    100MHz
    -
    55V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    Tin
    SILICON
    -260mV
    -55°C~150°C TJ
    -35V
    -2A
    100MHz
    Single
    1W
    625mW
    100MHz
    35V
    5V
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