ON Semiconductor SNSS35200MR6T1G
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SNSS35200MR6T1G
1807-SNSS35200MR6T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6
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Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
1最小包装量--
SNSS35200MR6T1G详情
ON Semiconductor SNSS35200MR6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
表面安装
YES
包装/外壳
SOT-23-6
安装类型
表面贴装
引脚数
6
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
35V
已出版
2013
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
625mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
NSS35200
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
310mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1.5A 1.5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
310mV @ 20mA, 2A
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
55V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
SNSS35200MR6T1G拓展信息
ON Semiconductor
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