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首页 全部分类 SPD04N80C3ATMA1 vs IPD65R950C6ATMA1

SPD04N80C3ATMA1备选型号: IPD65R950C6ATMA1

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  • 终端形式
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  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    SPD04N80C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    800V
    4A
    63W
    25 ns
    N-Channel
    1.3Ohm @ 2.5A, 10V
    3.9V @ 240μA
    570pF @ 100V
    31nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    12 ns
    4A
    20V
    800V
    570pF
    1.1Ohm
    1.3 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R950C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    37W
    6.6 ns
    N-Channel
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 200μA
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    5.2ns
    -
    ±20V
    13.6 ns
    4.5A
    20V
    650V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    3.949996g
    SILICON
    e3
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    0.95Ohm
    650V
    50 mJ
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