SPD04N80C3ATMA1备选型号: SPD04N60C3ATMA1
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- 包装/外壳
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin TO-252 T/R18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-34A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005活跃1 (Unlimited)150°C-55°C800V4A63W25 nsN-Channel1.3Ohm @ 2.5A, 10V3.9V @ 240μA570pF @ 100V31nC @ 10V15ns800V±20V12 ns4A20V800V570pF1.1Ohm1.3 ΩROHS3 Compliant无铅
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R40 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-34.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V4.5A50W6 nsN-Channel950mOhm @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns600V±20V9.5 ns4.5A20V600V490pF850mOhm950 mΩROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
![]() | IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3 | 对比 |



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