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SPP24N60C3XKSA1备选型号: IPP60R125CPXKSA1
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB8 Weeks通孔通孔TO-220-33TO-220-324.3A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V24.3A240W13 nsN-Channel160mOhm @ 15.4A, 10V3.9V @ 1.2mA无卤素3000pF @ 25V135nC @ 10V21ns650V±20V14 ns24.3A20V600V650V3nF140mOhm160 mΩROHS3 Compliant无铅----------------- MOSFET N-CH 650V 25A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-33-25A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2007不用于新设计1 (Unlimited)--600V25A208W15 nsN-Channel125m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 1.1mA无卤素2500pF @ 100V70nC @ 10V5ns650V±20V-25A20V600V----ROHS3 Compliant无铅SILICONe3yes3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHINGTO-220AB82A708 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 25A TO-220 | 对比 |
 | FCP190N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR - FCP190N60E - MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220 | 对比 |
| FCP25N60N-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP25N60N_F102 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO220 | 对比 |
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