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首页 全部分类 SSM3J325F,LF vs CPH3356-TL-W

SSM3J325F,LF备选型号: CPH3356-TL-W

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM3J325F,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    2A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    U-MOSVI
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    270pF
    Single
    P-Channel
    150m Ω @ 1A, 4.5V
    270pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    2A
    8V
    -20V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH3356-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin CPH T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    137m Ω @ 1A, 4.5V
    250pF @ 10V
    3.3nC @ 4.5V
    20V
    ±10V
    2.5A
    10V
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    1.4V @ 1mA
    e6
    yes
    3
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.7 ns
    SWITCHING
    11ns
    20 ns
    0.137Ohm
    20V
    not_compliant
    无铅
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