Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

U-MOSVI

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电容量

270pF

元素配置

Single

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 1A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

符合RoHS标准