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首页 全部分类 SSM3J325F,LF vs FDN327N

SSM3J325F,LF备选型号: FDN327N

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  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM3J325F,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    2A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    U-MOSVI
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    270pF
    Single
    P-Channel
    150m Ω @ 1A, 4.5V
    270pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    2A
    8V
    -20V
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN327N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    N-Channel
    70m Ω @ 2A, 4.5V
    423pF @ 10V
    6.3nC @ 4.5V
    -
    ±8V
    2A
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    30mg
    SILICON
    1.5V @ 250μA
    e3
    yes
    3
    EAR99
    70MOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    2A
    1
    增强型MOSFET
    500mW
    6 ns
    SWITCHING
    6.5ns
    6.5 ns
    700mV
    2A
    150°C
    700 mV
    1.22mm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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