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STB45NF06备选型号: HUF75329S3
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CHANNEL MOSFETACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON38A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR9928mOhmMatte Tin (Sn)60V鸥翼245not_compliant38A30STB45N3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET80WN-ChannelSWITCHING28m Ω @ 19A, 10V4V @ 250μA980pF @ 25V58nC @ 10V40ns±20V10 ns38A20V60V152A260 mJROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--33 ns-55°C~175°C TJTubeUltraFET™-Obsolete1 (Unlimited)----55V---49A-----Single-128WN-Channel-24mOhm @ 49A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 25V75nC @ 20V58ns±20V33 ns49A20V55V--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)2002175°C-55°C55V1.06nF24mOhm24 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB | 对比 |
| HUF75329S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
| HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
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