STD6N65M2备选型号: IPD65R950C6ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996g4A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STD6N119 nsN-Channel1.35 Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA226pF @ 100V9.8nC @ 10V7ns±25V20 ns4A3V25V650V无SVHCROHS3 Compliant-----------------
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996g4.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C6不用于新设计1 (Unlimited)-未说明未说明-16.6 nsN-Channel950m Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA328pF @ 100V15.3nC @ 10V5.2ns±20V13.6 ns4.5A-20V650V-ROHS3 CompliantSILICON2008e32Tin (Sn)鸥翼not_compliantR-PSSO-G2Single增强型MOSFET37WSWITCHING无卤素650V0.95Ohm50 mJContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |




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