STGB3NB60FDT4备选型号: IRG4BC20UD-SPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- ECCN 代码
- 箱体转运
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 600V 6A 68W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V2.4V150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e0Obsolete1 (Unlimited)2锡铅600V68W鸥翼未说明3A未说明STGB33R-PSSO-G2不合格Single68WStandardMOTOR CONTROL60nsN-CHANNEL2.4V6A45ns600V16.5 ns2.4V @ 15V, 3A535 ns16nC24A12.5ns/105ns125μJ (off)20V5VNon-RoHS Compliant------------
- IGBT 600V 13A 60W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V2.1V-55°C~150°C TJTube-e3Obsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V60W鸥翼26013A30--R-PSSO-G2-Single60WStandard电源控制15nsN-CHANNEL2.1V13A37 ns-55 ns2.1V @ 15V, 6.5A320 ns27nC52A39ns/93ns160μJ (on), 130μJ (off)20V6V符合RoHS标准14 Weeks32001EAR99COLLECTOR170ns4.699mm10.668mm9.65mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | 对比 |
![]() | IRG4BC20UD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | 对比 |
![]() | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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