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STGD10NC60SDT4备选型号: STGD6NC60HDT4
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- JEDEC-95代码
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
IGBT 600V 18A 60W DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed超快60W鸥翼26030STGD103R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard60W电源控制N-CHANNEL600V18A22 ns600V22.5 ns1.65V @ 15V, 5A560 ns18nC25A19ns/160ns60μJ (on), 340μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant--------------- IGBT 600V 15A 56W DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-56W鸥翼26030STGD63R-PSSO-G2Single-Standard-电源控制N-CHANNEL600V15A21 ns600V17.3 ns2.5V @ 15V, 3A222 ns13.6nC21A12ns/76ns20μJ (on), 68μJ (off)20V5.75V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks350.003213mg1.9V600V15A50W12 nsTO-252AA6A2.4mm6.6mm6.2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
| STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 15A 56W DPAK | 对比 |
| NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | DPAK | ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
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