STGP10M65DF2备选型号: IKP08N65F5XKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 功率耗散
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 7 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-220-33650V1.55V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGP10SingleStandard115W2V20A96 ns2V @ 15V, 10A沟渠现场停车28nC40A19ns/91ns120μJ (on), 270μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-----------
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS-18 Weeks通孔通孔TO-220-33650V1.6V-40°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR9970W未说明未说明-SingleStandard-1.6V18A41 ns2.1V @ 15V, 8A-22nC24A10ns/116ns70μJ (on), 20μJ (off)UnknownROHS3 CompliantTrenchStop®2008e3yesTin (Sn)70W无卤素N-CHANNEL20V4.8V无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
![]() | IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | In a Tube of 500, Infineon IKP08N65H5XKSA1 IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220AB | 对比 |
![]() | IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 | 对比 |





哦! 它是空的。