STGP10M65DF2备选型号: IKP10N60TXKSA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 7 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-220-33650V1.55V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGP10SingleStandard115W2V20A96 ns2V @ 15V, 10A沟渠现场停车28nC40A19ns/91ns120μJ (on), 270μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-------------------
- IGBT 600V 20A 110W TO220-3-16 Weeks-通孔TO-220-3-20A--40°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明--Standard110W--115ns2.05V @ 15V, 10ANPT, Trench Field Stop62nC30A12ns/215ns430μJ-ROHS3 CompliantNOSILICONTrenchStop®2007e3yes3Tin (Sn)SINGLE3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTOR电源控制N-CHANNEL600V21 ns296 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
![]() | IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | In a Tube of 500, Infineon IKP08N65H5XKSA1 IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220AB | 对比 |
![]() | IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 | 对比 |





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