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首页 全部分类 STGP10M65DF2 vs STGP10NC60KD

STGP10M65DF2备选型号: STGP10NC60KD

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGP10M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    未说明
    未说明
    STGP10
    Single
    Standard
    115W
    2V
    20A
    96 ns
    2V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGP10NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 65W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    65W
    -
    -
    STGP10
    Single
    Standard
    -
    600V
    20A
    22 ns
    2.5V @ 15V, 5A
    -
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    600V
    20A
    3
    25W
    ISOLATED
    电源控制
    6ns
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    23 ns
    242 ns
    20V
    7V
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    无铅
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