STGW20H65FB备选型号: IRGP4620D-EPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 反向恢复时间
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 3-Pin TO-247 Tube20 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V1.55V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99168W未说明未说明STGW20SingleStandard168WN-CHANNEL650V40A2V @ 15V, 20A沟渠现场停车120nC80A30ns/139ns77μJ (on), 170μJ (off)20V7VROHS3 Compliant无铅---
- IGBT 600V 32A 140W TO247AD-通孔通孔TO-247-33-600V1.55V-40°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR99140W未说明未说明-SingleStandard140WN-CHANNEL1.85V32A1.85V @ 15V, 12A-25nC36A31ns/83ns75μJ (on), 225μJ (off)20V6.5V符合RoHS标准-200868 ns无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP4620D-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 32A 140W TO247AD | 对比 |
![]() | STGW30H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | HB Series 650 V 30 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247 | 对比 |
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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