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首页 全部分类 STGW20H65FB vs STGW30H65FB

STGW20H65FB备选型号: STGW30H65FB

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • STMicroelectronics
    STGW20H65FB
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 3-Pin TO-247 Tube
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    168W
    未说明
    未说明
    STGW20
    Single
    Standard
    168W
    N-CHANNEL
    650V
    40A
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    120nC
    80A
    30ns/139ns
    77μJ (on), 170μJ (off)
    20V
    7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30H65FB
    STMicroelectronics
    HB Series 650 V 30 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    38.000013g
    650V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260W
    未说明
    未说明
    STGW30
    Single
    Standard
    260W
    -
    2V
    30A
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    151μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
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