STGW40V60DLF备选型号: STGW30V60DF

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  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
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  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
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  • 宽度
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 283W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    STGW40
    Single
    283W
    Standard
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    226nC
    160A
    -/208ns
    411μJ (off)
    20V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 258W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    258W
    STGW30
    Single
    258W
    Standard
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    电源控制
    53 ns
    59 ns
    225 ns
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