STGW40V60DLF备选型号: STGW60V60DF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 反向恢复时间
- 达到SVHC
- 无铅
- IGBT 600V 80A 283W TO24720 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.35V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99283WSTGW40Single283WStandardN-CHANNEL600V80A2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车226nC160A-/208ns411μJ (off)20V20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant---
- IGBT 600V 80A 375W TO24720 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.35V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99375WSTGW60Single375WStandardN-CHANNEL600V80A2.3V @ 15V, 60A沟渠现场停车334nC240A60ns/208ns750μJ (on), 550μJ (off)20V20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant74ns无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 258W TO247 | 对比 |
![]() | STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW60V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | 对比 |



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