STGY80H65DFB备选型号: APT45GR65B
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- 包装
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性/通道类型
- 连续集电极电流
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 650V 120A 469W MAX24740 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.9V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99469WunknownSTGY80SingleStandard469W2V120A85 ns2V @ 15V, 80A沟渠现场停车414nC240A84ns/280ns2.1mJ (on), 1.5mJ (off)ROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT 650V 92A 357W TO-24735 Weeks通孔通孔TO-247-3650V1.9V-Tube活跃1 (Unlimited)EAR99357W--SingleStandard-2.4V92A-2.4V @ 15V, 45ANPT203nC168A15ns/100ns900μJ (on), 580μJ (off)符合RoHS标准无铅38.000013g2001150°C-55°CN-CHANNEL118A30V6.5V5.31mm21.46mm16.26mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH75T65UPD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 150A 375W TO-247AB | 对比 | |
![]() | STGWA80H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |
![]() | APT45GR65B | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | 对比 |





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