STH110N10F7-2备选型号: IRFS3307ZPBF
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
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- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N CH 100V 110A H2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99STH110Single150W25 nsN-Channel6.5m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA5117pF @ 50V72nC @ 10V±20V110A20V100V4.8mm15.8mm10.4mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®Discontinued1 (Unlimited)EAR99-Single230W15 nsN-Channel5.8m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4750pF @ 50V110nC @ 10V±20V120A20V75V2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅2006SMD/SMT5.8MOhm75V120A64ns65 ns4V75V50 ns4 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
![]() | STB100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R | 对比 |





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