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STH110N10F7-2备选型号: STB100N10F7
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 长度
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- 质量
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- 终端形式
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
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- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N CH 100V 110A H2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99STH110Single150W25 nsN-Channel6.5m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA5117pF @ 50V72nC @ 10V±20V110A20V100V4.8mm15.8mm10.4mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB380A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99STB100NSingle-27 nsN-Channel8m Ω @ 40A, 10V4.5V @ 250μA4369pF @ 50V61nC @ 10V±20V80A20V100V4.6mm10.4mm9.35mm-ROHS3 Compliant无铅38 Weeks3.949996gSILICON3THROUGH-HOLE未说明未说明1增强型MOSFETDRAINSWITCHING40ns15 nsTO-220AB0.008Ohm400 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
| STB100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R | 对比 |
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