STH180N10F3-6备选型号: IRFS4010TRL7PP
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 配置
- 操作模式
- 栅源电压
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)8180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIObsolete1 (Unlimited)EAR994.5MOhmSTH180Single315W25.6 nsN-Channel4.5m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA6665pF @ 25V114.6nC @ 10V97.1ns±20V6.9 ns180A2V20V100V4.8mm15.25mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB7190A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)EAR99---380W19 nsN-Channel4m Ω @ 110A, 10V4V @ 250μA9830pF @ 50V230nC @ 10V56ns±20V48 ns190A-20V100V---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks2008e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSingle增强型MOSFET4 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
![]() | IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
![]() | STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III | 对比 |




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