STH180N10F3-6备选型号: IRFS4010TRL7PP

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 操作模式
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    8
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.5MOhm
    STH180
    Single
    315W
    25.6 ns
    N-Channel
    4.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    6665pF @ 25V
    114.6nC @ 10V
    97.1ns
    ±20V
    6.9 ns
    180A
    2V
    20V
    100V
    4.8mm
    15.25mm
    10.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    190A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    380W
    19 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 110A, 10V
    4V @ 250μA
    9830pF @ 50V
    230nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    48 ns
    190A
    -
    20V
    100V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2008
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    Single
    增强型MOSFET
    4 V
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