STI11NM80备选型号: IPI60R280C6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    STI11N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    150W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    43.6nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    15 ns
    11A
    30V
    0.4Ohm
    800V
    44A
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    SINGLE
    -
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    12 ns
    13.8A
    20V
    0.28Ohm
    -
    40A
    284 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    2008
    yes
    未说明
    未说明
    不合格
    无卤素
    600V
    无铅
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