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首页 全部分类 STI11NM80 vs STI18N65M2

STI11NM80备选型号: STI18N65M2

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STI11NM80
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    STI11N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    150W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    43.6nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    15 ns
    11A
    30V
    0.4Ohm
    800V
    44A
    400 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI18N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    STI18N
    -
    -
    -
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    330mOhm @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    770pF @ 100V
    20nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    12A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    I2PAK
    150°C
    Single
    650V
    770pF
    330mOhm
    330 mΩ
    9.35mm
    10.4mm
    4.6mm
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