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STI11NM80备选型号: STFI15NM65N
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 通道数量
- 元素配置
MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmeshNRND (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON11A Tc-65°C~150°C TJTubeMDmesh™e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCESINGLESTI11N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET150W22 nsN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA1630pF @ 25V43.6nC @ 10V17ns±30V15 ns11A30V0.4Ohm800V44A400 mJ无ROHS3 Compliant--
MOSFET N-CH 650V 0.35Ohm 12A MDmesh II-通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak3-12A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99---STFI15N----55.5 nsN-Channel-380m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA983pF @ 50V33.3nC @ 10V8.5ns±25V11.4 ns12A25V-650V--无ROHS3 Compliant1Single- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | 对比 |
| STFI15NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 650V 0.35Ohm 12A MDmesh II | 对比 |
 | FCI11N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 |
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