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首页 全部分类 STL11N6F7 vs BSC100N06LS3GATMA1

STL11N6F7备选型号: BSC100N06LS3GATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
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  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL11N6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL11
    N-Channel
    12m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 30V
    17nC @ 10V
    60V
    ±20V
    11A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC100N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    12A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    10m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 23μA
    3500pF @ 30V
    45nC @ 10V
    -
    ±20V
    12A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    13 Weeks
    SILICON
    2011
    e3
    no
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    无卤素
    58ns
    20V
    60V
    200A
    22 mJ
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