STL11N6F7备选型号: FDS5672
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装8-PowerVDFN811A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STL11N-Channel12m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA1035pF @ 30V17nC @ 10V60V±20V11AROHS3 Compliant无铅-------------------------------
- In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)812A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)EAR99---N-Channel10m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA2200pF @ 25V45nC @ 10V-±20V12mAROHS3 Compliant无铅12 WeeksTin130mgSILICON2001e3yes810MOhm60VDUAL鸥翼12A1Single增强型MOSFET2.5W13 nsSWITCHING20ns14 ns4V20V60V150°C4 V1.75mm5mm4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
| FDS5672 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672 | 对比 | |
![]() | IRF7855PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | 对比 |





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