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STL11N6F7备选型号: IRF7855PBF

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  • 无铅
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL11N6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL11
    N-Channel
    12m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 30V
    17nC @ 10V
    60V
    ±20V
    11A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7855PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    9.4m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1560pF @ 25V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    14 Weeks
    2005
    9.4MOhm
    Single
    97mW
    8.7 ns
    13ns
    12 ns
    4.9V
    20V
    60V
    50 ns
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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