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首页 全部分类 STL120N2VH5 vs IRF6620TRPBF

STL120N2VH5备选型号: IRF6620TRPBF

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  • 附加功能
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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STL120N2VH5
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STL120N2VH5 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 20 V, 0.002 ohm, 4.5 V, 700 mV
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3MOhm
    STL120
    Single
    80W
    21 ns
    N-Channel
    3m Ω @ 14A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    4660pF @ 15V
    29nC @ 2.5V
    60ns
    ±8V
    55 ns
    120A
    700mV
    8V
    20V
    880μm
    4.75mm
    5.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6620TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    89W
    18 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 27A, 10V
    2.45V @ 250μA
    4130pF @ 10V
    42nC @ 4.5V
    80ns
    ±20V
    6.6 ns
    22A
    -
    20V
    20V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    2006
    e1
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    20V
    BOTTOM
    27A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0027Ohm
    220A
    39 mJ
    2.45 V
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