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STL18N55M5备选型号: STD18N55M5

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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL18N55M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    4
    SILICON
    10V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    270MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    260
    STL18
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1352pF @ 100V
    31nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    13 ns
    13A
    25V
    550V
    9.6A
    200 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD18N55M5
    STMicroelectronics
    Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    16A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    180mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    260
    STD18
    3
    -
    增强型MOSFET
    90W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    192m Ω @ 8A, 10V
    5V @ 250μA
    1260pF @ 100V
    31nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    13 ns
    13A
    25V
    550V
    56A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    4V
    9A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
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