STMicroelectronics STL18N55M5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 90W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A Ta 13A Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

270MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STL18

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1352pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

550V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅