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STL18N55M5备选型号: STL24NM60N
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN4SILICON10V150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3yesObsolete3 (168 Hours)4EAR99270MOhmMatte Tin (Sn) - annealedSINGLE260STL184SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3WDRAINN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 6A, 10V5V @ 250μA1352pF @ 100V31nC @ 10V9.5ns±25V13 ns13A25V550V9.6A200 mJ无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN5SILICON3.3A Ta 16A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II--活跃3 (168 Hours)5EAR99215MOhm-SINGLE-STL245SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3WDRAINN-ChannelSWITCHING215m Ω @ 8A, 10V5V @ 250μA1400pF @ 50V46nC @ 10V16.5ns±25V37 ns16A25V600V-300 mJ无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks11.5 ns4V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD18N55M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
| STL24NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT | 对比 |
 | STL23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET | 对比 |
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