STL66N3LLH5备选型号: IRLR8726TRLPBF
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 输入电容
- 漏源电阻
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- MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN880A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Ve3活跃1 (Unlimited)EAR995.8MOhmMatte Tin (Sn) - annealedSTL66Single4.8W9.3 nsN-Channel5.8m Ω @ 10.5A, 10V3V @ 250μA1500pF @ 25V12nC @ 4.5V14.5ns±22V4.5 ns80A22V30V无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 30V 86A DPAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63386A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®-不用于新设计1 (Unlimited)----Single75W12 nsN-Channel5.8mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 50μA2150pF @ 15V23nC @ 4.5V49ns±20V16 ns86A12V30V-ROHS3 Compliant-TinD-Pak2005175°C-55°C30V2.15nF5.8mOhm5.8 mΩ2.26mm6.7056mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR8726TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
| NTMFS4847NAT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 85A 4.1mOhm | 对比 | |
| NTMFS4849NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | 对比 |




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