您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STS1DNC45 vs DMGD7N45SSD-13

STS1DNC45备选型号: DMGD7N45SSD-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STS1DNC45
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    450V
    1.6W
    鸥翼
    260
    400mA
    30
    STS1D
    8
    增强型MOSFET
    2W
    6.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    160pF @ 25V
    10nC @ 10V
    4ns
    4 ns
    400mA
    30V
    0.4A
    450V
    1.6A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMGD7N45SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    500mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    1.64W
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    4 Ω @ 400mA, 10V
    4.5V @ 1mA
    256pF @ 25V
    6.9nC @ 10V
    -
    -
    500mA
    -
    0.5A
    -
    2.2A
    56 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2014
    HIGH RELIABILITY
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    450V
    4Ohm
    450V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STS1DN45K3 STS1DN45K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 对比
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO 对比
FDS9953A FDS9953A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC 对比