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首页 全部分类 STS4DNFS30 vs IRF7303QTRPBF

STS4DNFS30备选型号: IRF7303QTRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STS4DNFS30
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5V 10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    镍钯金
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    STS4D
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 250μA
    330pF @ 25V
    4.7nC @ 5V
    17ns
    ±20V
    6 ns
    4.5A
    20V
    30V
    13A
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7303QTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IRF7303QPBF
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    -
    7.7 ns
    4.9A
    20V
    -
    -
    Standard
    符合RoHS标准
    2010
    150°C
    -55°C
    2W
    6.8 ns
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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