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首页 全部分类 STS4DNFS30 vs IRF7406TRPBF

STS4DNFS30备选型号: IRF7406TRPBF

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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STS4DNFS30
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5V 10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    镍钯金
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    STS4D
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 250μA
    330pF @ 25V
    4.7nC @ 5V
    17ns
    ±20V
    6 ns
    4.5A
    20V
    30V
    13A
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7406TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    P-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 2.8A, 10V
    1V @ 250μA
    1100pF @ 25V
    59nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    47 ns
    -5.8A
    20V
    -30V
    23A
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    2004
    45mOhm
    超低电阻
    -30V
    -5.8A
    6.3 mm
    1
    Single
    16 ns
    30V
    -1V
    -30V
    63 ns
    150°C
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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