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首页 全部分类 TC7920K6-G vs DMN2300UFB4-7B

TC7920K6-G备选型号: DMN2300UFB4-7B

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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • Microchip Technology
    TC7920K6-G
    Microchip Technology
    TWO PAIR, N- AND P-CH ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES12 VDFN 4x4x1.0mm T/R
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    12-VFDFN Exposed Pad
    12
    SILICON
    4
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
    DUAL
    无铅
    260
    40
    不合格
    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    10 ns
    2 N and 2 P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 1A, 10V
    2.4V @ 1mA
    52pF @ 25V
    15ns
    200V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    7Ohm
    200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    1.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    BOTTOM
    -
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    64.3pF @ 25V
    2.8ns
    -
    -
    13 ns
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    175mOhm
    3
    1
    Single
    500mW
    DRAIN
    1.6nC @ 4.5V
    ±8V
    1.3A
    950mV
    8V
    20V
    150°C
    400μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
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