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首页 全部分类 TC7920K6-G vs DMP58D0LFB-7

TC7920K6-G备选型号: DMP58D0LFB-7

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  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microchip Technology
    TC7920K6-G
    Microchip Technology
    TWO PAIR, N- AND P-CH ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES12 VDFN 4x4x1.0mm T/R
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    12-VFDFN Exposed Pad
    12
    SILICON
    4
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
    DUAL
    无铅
    260
    40
    不合格
    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    10 ns
    2 N and 2 P-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 1A, 10V
    2.4V @ 1mA
    52pF @ 25V
    15ns
    200V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    7Ohm
    200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP58D0LFB-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R
    19 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    SILICON
    180mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    -
    260
    40
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    30.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 100mA, 5V
    2.1V @ 250μA
    27pF @ 25V
    84.1ns
    50V
    -
    32.2 ns
    8Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    yes
    3
    1
    1.22W
    DRAIN
    ±20V
    310mA
    20V
    -50V
    无SVHC
    无
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