Microchip Technology TC7920K6-G
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TC7920K6-G
1610-TC7920K6-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
12-VFDFN Exposed Pad
大陆
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TWO PAIR, N- AND P-CH ENHANCEMENT-MODE MOSFET w/DRAIN-DIODES12 VDFN 4x4x1.0mm T/R
--最小包装量--
TC7920K6-G详情
Microchip Technology TC7920K6-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
12-VFDFN Exposed Pad
引脚数
12
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 N and 2 P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
52pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
200V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
15 ns
漏极-源极导通最大电阻
7Ohm
DS 击穿电压-最小值
200V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TC7920K6-G拓展信息
Microchip Technology
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