TK10E60W,S1VX备选型号: SPP11N60C3XKSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    9.7A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2012
    活跃
    不适用
    Single
    100W
    N-Channel
    380m Ω @ 4.9A, 10V
    3.7V @ 500μA
    700pF @ 300V
    20nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    5.5 ns
    9.7A
    30V
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    125W
    N-Channel
    380mOhm @ 7A, 10V
    3.9V @ 500μA
    1200pF @ 25V
    60nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    11A
    20V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    PG-TO220-3-1
    150°C
    -55°C
    650V
    11A
    10 ns
    无卤素
    650V
    600V
    1.2nF
    380mOhm
    380 mΩ
    无SVHC
    无铅
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