TK10E60W,S1VX备选型号: SPP11N60C3XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC16 Weeks通孔通孔TO-220-39.7A Ta150°C TJTubeDTMOSIV2012活跃不适用Single100WN-Channel380m Ω @ 4.9A, 10V3.7V @ 500μA700pF @ 300V20nC @ 10V22ns±30V5.5 ns9.7A30V600V超级交界处符合RoHS标准----------------
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB8 Weeks通孔通孔TO-220-311A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)-125WN-Channel380mOhm @ 7A, 10V3.9V @ 500μA1200pF @ 25V60nC @ 10V5ns±20V5 ns11A20V600V-ROHS3 Compliant3PG-TO220-3-1150°C-55°C650V11A10 ns无卤素650V600V1.2nF380mOhm380 mΩ无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP380N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET SuperFET2, 380mohm | 对比 | |
![]() | SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | 对比 |
| FCP380N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |



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