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首页 全部分类 VHM40-06P1 vs STE70NM50

VHM40-06P1备选型号: STE70NM50

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 系列
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  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    VHM40-06P1
    IXYS
    MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
    12 Weeks
    底座安装
    底座安装
    ECO-PAC2
    12
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2009
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    6
    R-XUFM-X6
    不合格
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 3mA
    220nC @ 10V
    600V
    38A
    0.07Ohm
    600V
    1800 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STE70NM50
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    70A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    266nC @ 10V
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    MDmesh™
    EAR99
    50mOhm
    500V
    70A
    STE70
    600W
    51 ns
    7500pF @ 25V
    58ns
    ±30V
    46 ns
    4V
    30V
    500V
    280A
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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